特許

J-GLOBAL ID：200903005164381622

高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア

発明者： 竹之下 英博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202378
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045415
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】優れた焼結性と透磁率を維持したまま、Bs値が4100G以上と高いフェライト材料を得る。【解決手段】54〜75モル%のFe2 O3 と、10〜30モル%のZnOと、10〜25モル%のNiOと、3〜10モル%のCuOを主成分とし、Zn/Niのモル比が1〜1.5であって、かつ上記主成分100重量部に対し、0.1〜5重量部のBi2 O3 と、0.1〜5重量部のMoO3 を含有する。

請求項（抜粋）：

54〜75モル%のFe2 O3 と、10〜30モル%のZnOと、10〜25モル%のNiOと、3〜10モル%のCuOを主成分とし、Zn/Niのモル比が1〜1.5であって、かつ上記主成分100重量部に対し、0.1〜5重量部のBi2 O3 と、0.1〜5重量部のMoO3 を含有することを特徴とする高飽和磁束密度フェライト材料。

IPC (3件)：

C01G 49/00 ,  C04B 35/30 ,  H01F 1/34

FI (3件)：

C01G 49/00 A ,  C04B 35/30 C ,  H01F 1/34 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特公昭35-001576
  
• NiZn系ソフトフェライト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-083494   出願人：川崎製鉄株式会社
• Ni-Zn系フェライトの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-099530   出願人：日立金属株式会社