特許
J-GLOBAL ID：200903005166945043
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法及び平面研磨布
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-058219
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の化学的機械的研磨(CMP)に関し、半導体ウェハー面内、特に中心部と端部とで研磨量の不均一が生じていた。【解決手段】平面研磨布101に接触して研磨を行う半導体ウェハー102は平面研磨布の回転により外周軌道線103、104で囲まれた部分で研磨される。ここで軌道中心線105と同位置に溝106が彫られている。従来方法では半導体ウェハーの中心部の方が端部よりも局所的に押しつけられる力が増す為に、投入された研磨剤(スラリー)が中心部までは十分に行き渡らなかったが、今回研磨布101上に溝106を形成した為、半導体ウェハー中心部に対してスラリーが供給されやすい構造となり、平板基体の端部と中心部とで研磨量の差が少ない被研磨基体を得ることができた。
請求項（抜粋）：
平板基体を研磨する平面研磨布において該平面基体の該平面研磨布との接触部分のうち端部から少なくとも1cmより内側の該平面研磨布の対応する部分にのみ溝を有することを特徴とする平面研磨布。
IPC (2件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 321
B24B 37/00 C
, H01L 21/304 321 E
