特許

J-GLOBAL ID：200903005169008253

半導体のエピタキシャル成長装置

発明者： 阿部 芳久 ,  鈴木 俊一 ,  中西 秀夫
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-189910
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031874
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】基板の材質と、エピタキシャル成長させる膜の材質との格子不整合の問題を解消する。【解決手段】基板を支持するためのサセプタと、基板を加熱するための加熱手段と、サセプタに支持された状態の基板の温度を測定するための温度計と、サセプタに支持された状態の基板の表面に所定の原料ガス及びキャリアガスを流すためのガス供給ノズルとを設ける。まず基板の表面にc-BP(立方晶リン化ホウ素)成長用原料ガスを流して、基板の表面にc-BP層をエピタキシャル成長により形成する。さらに、そのc-BP層の表面に3C-SiC又はGaN成長用原料ガスを流して、3C-SiC層又はGaN層を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を支持するためのサセプタと、基板を加熱するための加熱手段と、サセプタに支持された状態の基板の温度を測定するための温度計と、サセプタに支持された状態の基板の表面に所定の原料ガス及びキャリアガスを流すためのガス供給ノズルとを設け、まず基板の表面にc-BP(立方晶リン化ホウ素)成長用原料ガスを流して、基板の表面にc-BP層をエピタキシャル成長により形成し、そのc-BP層の表面に3C-SiC又はGaN成長用原料ガスを流して、3C-SiC層又はGaN層を形成する構成にしたことを特徴とする、半導体のエピタキシャル成長装置。

IPC (5件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  C30B29/38 D

Fターム (43件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB06 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA12 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AB15 ,  5F045AC00 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ03 ,  5F045EF02