特許
J-GLOBAL ID：200903005170662846
GaN系化合物半導体薄膜の積層構造および成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156807
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008185
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【構成】 有機金属気相成長法を用い、サファイヤ基板を 900〜1100°Cで熱処理する工程、該サファイヤ基板を 300〜 700°Cに保持して該基板上にTMG、TMIn、NH<SB>3 </SB>を原料としてIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x≦0.3)からなるバッファ層を 0.005〜 0.2μmの厚さに成長させる工程、該In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N層を 900°C以上で熱処理する工程及び該In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N層上にTMGa、TMIn、又はTMAlの少くとも1種とNH<SB>3 </SB>を原料としてGaN系化合物半導体((Ga<SB>z </SB>Al<SB>1-z </SB>)<SB>1-y </SB>In<SB>y </SB>N(0≦z≦1,0≦y≦1))の単結晶薄膜を成長させる工程からなることを特徴とするGaN系化合物半導体薄膜の成長方法。【効果】 本発明によればサファイヤ基板上にGaN系化合物半導体薄膜を成長させる際のバッファ層が酸素を取り込むことがなくなるので、得られる薄膜は酸素に起因する白濁もなく安定した鏡面となる。
請求項（抜粋）：
サファイヤ基板上にバッファ層としてIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x≦0.3)を設け、その上にGaN系化合物半導体((Ga<SB>z </SB>Al<SB>1-z </SB>)<SB>1-y </SB>In<SB>y </SB>N(0≦z≦1,0≦y≦1))の単結晶薄膜を設けたことを特徴とするGaN系化合物半導体薄膜の積層構造。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 33/00
