特許
J-GLOBAL ID：200903005172646414
半導体装置の実装構造、実装方法およびリワーク方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346455
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179552
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】接続信頼性が高く、リワーク可能なベアチップまたはチップサイズパッケージの実装構造、実装方法およびリワーク方法を提供する。【解決手段】半導体装置2の電極4と配線基板1の電極5が電気的に接続され、半導体装置2と配線基板1の隙間が樹脂で封止されてなる半導体装置の実装構造であって、その隙間が、熱硬化性樹脂を主成分とし且つ0〜40重量%の無機質充填剤を含む樹脂組成物の硬化物である第1の樹脂6で充填され、半導体装置2の周囲には、熱硬化性樹脂と無機質充填剤を主成分とした樹脂組成物の硬化物である第2の樹脂7でフィレット部が形成されている実装構造により、上記課題を解決した。本発明の実装方法は、半導体装置2を配線基板1上に位置合わせして搭載し、その半導体装置2と配線基板1間の電極4、5を電気的に接続する工程、半導体装置2と配線基板1の隙間に上記第1の樹脂用の樹脂組成物を充填する工程、および、半導体装置2の周囲に上記第2の樹脂用の樹脂組成物を塗布してフィレット部を形成する工程、を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極と配線基板の電極が電気的に接続され、当該半導体装置と配線基板の隙間が樹脂で封止されてなる半導体装置の実装構造において、
前記隙間が、熱硬化性樹脂を主成分とし且つ0〜40重量%の無機質充填剤を含む樹脂組成物の硬化物である第1の樹脂で充填され、
前記半導体装置の周囲には、熱硬化性樹脂と無機質充填剤を主成分とした樹脂組成物の硬化物である第2の樹脂でフィレット部が形成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
IPC (3件)：
H01L23/29
, H01L21/60
, H01L23/31
H01L23/30 B
, H01L21/60 311Q
, H01L21/60 311S
, H01L21/60 321Z
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA04
, 4M109ED01
, 4M109EE02
, 5F044KK01
, 5F044LL01
, 5F044LL11
, 5F044RR17
, 5F044RR18
