特許
J-GLOBAL ID：200903005175718475
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072761
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235346
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 ドレイン領域下部のPN接合において、電界集中によるなだれ降伏を防止して、高耐圧の半導体装置を得る。【構成】 ドレイン領域4上部をマスクして、ゲート絶縁膜8下にチャネル不純物注入領域6を形成する。マスクを除去した後、ゲート電極9をマスクし、P型不純物(P- イオン)をドレイン領域4に選択的に高エネルギー注入して、P-イオン注入領域10を形成する。その後、P+ ドレイン領域4とP+ ソース領域5とを形成する。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜の下部にチャネル不純物注入領域を有する半導体装置において、該チャネル不純物注入領域はドレイン領域の下部には形成されていないことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 S
