特許

J-GLOBAL ID：200903005182763044

量子波干渉層を有したダイオード

発明者： 加納 浩之
出願人/特許権者： カナレ電気株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303435
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】動作抵抗の低いダイオードを実現すること【解決手段】バンド幅の狭い第1層Wと第1層よりもバンド幅の広い第2層Bとを多重周期で積層した量子波干渉層をp層又はn層の少なくとも一方に設けたダイオードで、第1層Wと第2層Bの厚さをキャリアの各層における量子波の波長の4分の1の奇数倍に設定した。又、第1層Wと第2層Bとの境界に、第1層Wと第2層Bの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層を形成した。この構造によりキャリアの反射率を向上させ、VI特性における電流の立ち上がりを急峻とすることができる。

請求項（抜粋）：

第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した量子波干渉層を有するダイオードにおいて、p層又はn層において、前記第1層と前記第2層の厚さを注入された少数キャリアの各層における量子波の波長の4分の1の奇数倍に設定した量子波干渉層を設けたことを特徴とするダイオード。