特許
J-GLOBAL ID:200903005183447430
無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-120869
公開番号(公開出願番号):特開2007-063661
出願日: 2006年04月25日
公開日(公表日): 2007年03月15日
要約:
【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも1種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が0.0005〜10g/Lであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量X(mL/L)と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Y(g/L)との比(X/Y)が80000以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基材と、該基材上に形成された、無電解ニッケルめっき皮膜を形成するための置換パラジウムめっき処理をすべき銅配線と、を備える配線板の表面に接触させる無電解ニッケルめっき用前処理液であって、
下記一般式(1)で表される脂肪族チオール化合物、下記一般式(2)で表される脂肪族チオール化合物、下記一般式(3)で表される脂肪族チオール化合物および下記一般式(4)で表されるジスルフィド化合物からなる群より選択される少なくとも1種の硫黄化合物と、有機溶剤と、を含み、
前処理液中の前記硫黄化合物の合計含有量が0.0005〜10g/Lであり、且つ、前処理液中の前記有機溶剤の合計含有量X(mL/L)と前処理液中の前記硫黄化合物の合計含有量Y(g/L)との比(X/Y)が80000以下であることを特徴とする無電解ニッケルめっき用前処理液。
HS-(CH2)a-COOH ...(1)
[式(1)中、aは1から23までのいずれかの整数を示す。]
HS-(CH2)b-OH ...(2)
[式(2)中、bは5から23までのいずれかの整数を示す。]
HS-(CH2)c-NH2 ...(3)
[式(3)中、cは5から23までのいずれかの整数を示す。]
R1-(CH2)n-(R3)p-S-S-(R4)q-(CH2)m-R2 ...(4)
[式(4)中、R1およびR2はそれぞれ独立に、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を示し、R3およびR4はそれぞれ独立に、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を有する2価の有機基を示し、nおよびmはそれぞれ独立に4から15までのいずれかの整数を示し、pおよびqはそれぞれ独立に0又は1を示す。]
IPC (3件):
C23C 18/18
, C23C 18/32
, H05K 3/18
FI (5件):
C23C18/18
, C23C18/32
, H05K3/18 A
, H05K3/18 E
, H05K3/18 K
Fターム (29件):
4K022AA02
, 4K022AA13
, 4K022AA32
, 4K022AA42
, 4K022BA14
, 4K022BA31
, 4K022CA06
, 4K022CA08
, 4K022CA22
, 4K022CA28
, 4K022DA01
, 4K022DB02
, 4K022DB03
, 4K022DB04
, 4K022DB07
, 5E343AA17
, 5E343AA18
, 5E343BB24
, 5E343BB44
, 5E343BB71
, 5E343CC21
, 5E343CC52
, 5E343CC73
, 5E343DD34
, 5E343EE01
, 5E343EE37
, 5E343ER02
, 5E343FF17
, 5E343GG08
引用特許:
出願人引用 (3件)
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特許第3387507号公報
-
無電解ニッケルめっき液
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-319947
出願人:奥野製薬工業株式会社
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プリント配線板の製造
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-103927
出願人:シップレーカンパニーエルエルシー
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