特許

J-GLOBAL ID：200903005186216900

配線基板、半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造

発明者： 山口 浩一 ,  古久保 洋二 ,  東 昌彦 ,  米倉 秀人 ,  浜田 紀彰
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-227014
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070214
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】従来の配線基板やパッケージでは、高熱膨張の有機樹脂を含有する外部電気回路基板に対する実装が長期安定性に欠けるものであった。【解決手段】Agなどのメタライズ配線層3を絶縁基板1の表面あるいは内部に配設した配線基板あるいは半導体素子収納用パッケージAにおいて、絶縁基板1をBaOを10重量%以上含有するガラス粉末を20〜80体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体によって構成し、これを少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板B上に、接続端子4を介してロウ付け接合し実装する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、メタライズ配線層とを具備した配線基板において、前記絶縁基板が、BaOを10重量%以上含有するガラス粉末を20〜80体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (6件)：

H01L 23/15 ,  C03C 10/00 ,  C04B 35/16 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03 610

FI (6件)：

H01L 23/14 C ,  C03C 10/00 ,  H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/16 Z ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 J

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-238837
  
• 特開昭63-215559
  

審査官引用 (2件)

• 特開平4-238837
  
• 特開昭63-215559