特許
J-GLOBAL ID：200903005188690596
ガンダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323140
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133616
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 ガンダイオードの発振効率及び製造再現性を向上すること。【解決手段】 高濃度n型GaAsからなる半導体基板11上に、高濃度n型GaAsからなる第1のコンタクト層12、低濃度n型GaAsからなる活性層13、及び高濃度n型InGaAlPからなる第2のコンタクト層14の順に積層する。活性層13に電圧を印加するための大面積のアノード電極15及び小面積のカソード電極16を第2のコンタクト14上に配置する。カソード電極16に対応する第2のコンタクト層14及び活性層13の部分をガンダイオードとして機能させる領域として区画するための凹部20をカソード電極16の周囲から切り込んで形成する。
請求項（抜粋）：
高濃度n型GaAsからなる半導体基板上に、高濃度n型GaAsからなる第1の半導体層、低濃度n型GaAsからなる活性層、及び高濃度n型InGaAlPからなる第2の半導体層が順に積層されたガンダイオードであって、前記第2の半導体層上に配置され前記活性層に電圧を印加するための小面積の第1の電極及び大面積の第2の電極と、該第1の電極の周囲から少なくとも前記第2の半導体層の下面まで切り込まれ且つ前記第1の電極に対応する前記第2の半導体層及び前記活性層の部分をガンダイオードとして機能させる領域として区画する凹部とを備えたことを特徴とするガンダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 47/02
, H01L 29/44 B
4M104AA05
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB09
, 4M104BB10
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104DD26
, 4M104FF01
, 4M104GG02
, 4M104HH16
, 4M104HH18
