特許

J-GLOBAL ID：200903005189227458

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 下垣内 康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-355283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189996
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタの閾値電圧を簡便かつ効率的に制御する。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造する為に、まず絶縁基板1の上にゲート電極5を形成する。ゲート電極5を被覆する様にゲート絶縁膜4を形成する。ゲート絶縁膜4の上に半導体薄膜2を形成する。半導体薄膜2に不純物を選択的に注入してボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成する。薄膜トランジスタに接続する配線を形成する。ゲート絶縁膜4を形成した後いずれかの段階で絶縁基板1に紫外線を照射して薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極を被覆する様にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜の上に半導体薄膜を形成する工程と、該半導体薄膜に不純物を選択的に注入してボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜トランジスタに接続する配線を形成する工程とを含む薄膜半導体装置の製造方法であって、該ゲート絶縁膜を形成した後いずれかの段階で、該絶縁基板に紫外線を照射して該薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する照射工程を行なうことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 627 F