特許
J-GLOBAL ID：200903005190755891
気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-252354
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090165
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 気相成長により基板に薄膜を形成する際に、加熱手段の加熱効率の向上を図ると共に基板の面内温度分布を均一化して、高品質な薄膜を形成することが可能な気相成長装置を提供することを目的としている。【構成】 基板2を、基板ホルダ3に形成した基板2の直径よりもやや小さい直径の貫通孔3a上に載置し、温度計9a,9bで基板2と基板ホルダ3の温度を測定して、温度制御装置8a,8bでヒータ電源7a,7bからヒータ4a,4bに流すヒータ電流をそれぞれ制御することにより、基板2と基板ホルダ3はヒータ4a,4bによってそれぞれ独立に加熱温度が制御され、加熱効率の向上と基板2の面内温度分布の均一化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
反応炉内に原料ガスを供給し、加熱手段により加熱される前記反応炉内に配置した基板ホルダ上の基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記基板ホルダに前記基板の径よりも小さい貫通孔を形成して前記基板を前記貫通孔の周縁部において支持すると共に、前記加熱手段を前記基板ホルダの基板と反対側に配置し、前記加熱手段で前記基板およびホルダをそれぞれほぼ独立に温度制御して加熱することを特徴とする気相成長装置。
引用特許：
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