特許

J-GLOBAL ID：200903005191693873

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 武本 彰 ,  大村 悦司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360113
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183233
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 低閾値電流,高効率動作の半導体レーザ及びその製造方法を得る。【構成】 埋込みヘテロ構造の半導体レーザにおいて、活性層3の近傍に高濃度p型領域10を設けておき、エッチング界面にn型不純物を拡散した際にp型に反転しない領域11を設け、漏れ電流が流れにくい構造とした。【効果】 漏れ電流の流れる経路を制限し、漏れ電流の少ない低閾値電流,高効率動作可能な半導体レーザを得る。

請求項１：

n型半導体基板上に、n型バッファ層,活性層、第1のp型クラッド層を順次積層した構造をメサ状にエッチングし、エッチング界面にn型不純物を拡散した後、エッチング部にp型電流ブロック層,n型電流ブロック層を順次積層し、さらに基板全体に第2のp型クラッド層を形成してなるレーザ構造を有する半導体レーザにおいて、上記p型クラッド層はその層厚方向の一部に高濃度のp型不純物を含む層を有し、該層の上記n型不純物拡散領域はn型に反転していないことを特徴とする半導体レーザ。