特許
J-GLOBAL ID：200903005201467540
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133772
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】レプリカ回路設計の難しさを軽減でき、またレプリカ回路に付加するマージンを削減でき、半導体回路の低消費電力化を図れる半導体装置を提供する。【解決手段】複数の伝送パスを有する半導体回路11において、伝送パスに選択的に異なるしきい値電圧を適用することによってレプリカ回路にし難しい伝送パスをクリティカルパスから除外し、レプリカ回路にし易いパスを選択的にクリティカルパスに変更し、そのクリティカルパスの遅延をモニターするためのレプリカ回路12を構成し、また、このレプリカ回路12を用いて半導体回路11に供給する電源電圧VDDを制御する。
請求項（抜粋）：
複数の伝送パスを有する半導体回路と、当該半導体回路のクリティカルパスをモニターするレプリカ回路とを有する半導体装置であって、上記半導体回路は、複数の伝送パスの中から、レプリカ回路に適した伝送パスがクリティカルパスとして構成され、上記レプリカ回路は、上記半導体回路の上記クリティカルパスとして採用された伝送パスと等価な回路により構成されている半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (11件)：
5F038AZ03
, 5F038BB02
, 5F038BB04
, 5F038BG05
, 5F038BG06
, 5F038CD09
, 5F038DF07
, 5F038DF08
, 5F038DF16
, 5F038DT12
, 5F038EZ20
