横型高耐圧素子を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148947
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341018
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 SOI層表面の電界集中に制限されることのない格段に高い耐圧を有する横型高耐圧素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 SOI層に、p+ 半導体領域5と、n- ドリフト領域2と、n+半導体領域4とを有するダイオードが形成されており、半導体層2の底面にSiC層が形成されている。またカソード電極6とアノード電極7との間には、導電層31、32よりなる容量結合型の多重フィールドプレートが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に埋込絶縁層を介在して形成された半導体層を有し、前記半導体層に高耐圧素子が形成された半導体装置であって、前記高耐圧素子は、前記半導体層に形成された互いに逆導電型の第1および第2不純物領域を有し、前記高耐圧素子に耐圧が印加されたときに前記半導体層中で電界強度が最も高くなる領域に少なくとも位置し、かつ前記半導体層の材料よりも広いバンドギャップを有する材料よりなるワイドバンドギャップ層と、前記第1および第2不純物領域に挟まれる前記半導体層の領域上に絶縁層を介在してフローティング状態で形成され、かつ前記第1不純物領域に電気的に接続された第1電極との間および前記第2不純物領域に電気的に接続された第2電極との間で容量を蓄積可能なフィールドプレート用導電層とを備えた、横型高耐圧素子を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 626 Z , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 617 A , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 618 F

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