特許

J-GLOBAL ID：200903005215141877

化学増幅型レジストパターンの形成方法

発明者： 阿部 信紀 ,  小澤 角栄
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
代理人 (1件)： 内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098596
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296787
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成された化学増幅型レジスト膜の経時による感度や解像性などの劣化を抑制し、断面形状が矩形状で、寸法忠実性に優れるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィーにより化学増幅型レジストパターンを形成する方法において、基板上に化学増幅型レジスト膜を形成したのち、その上にエーテル結合及び/又はエステル結合を有する重合体からなる皮膜を形成し、次いで潜像パターンの形成、現像処理を施すことにより、化学増幅型レジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

(A)基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程、(B)上記化学増幅型レジスト膜上にエーテル結合及び/又はエステル結合を有する重合体からなる皮膜を形成する工程、(C)表面に該皮膜が設けられた化学増幅型レジスト膜に電離放射線を照射して選択露光を施し、潜像パターンを形成する工程、及び(D)潜像パターンを有する化学増幅型レジスト膜を現像処理し、該潜像パターンを顕像化する工程を含むことを特徴とする化学増幅型レジストパターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 1/08 L ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 575

Fターム (25件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA02 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H095BB38 ,  2H095BC01 ,  2H095BC08 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22