特許

J-GLOBAL ID：200903005216667619

熱処理方法および装置

発明者： 大鹿 克志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-119899
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306921
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 被処理物の熱処理時の温度の再現性と面内温度の均一性を向上させ、被処理物の歩留りを向上させる。【解決手段】 半導体ウェハ1の外周部1aに応じた形状の内周面2fが設けられたウェハざぐり2aを備えたサセプタ2と、サセプタ2の表面2bおよび裏面2cから僅かに離れたその近傍2dでそれぞれに表面2bおよび裏面2cと対向して設置されかつそれぞれに表面2bおよび裏面2cを覆う2枚のプレートヒータ3と、半導体ウェハ1の外周部1aに応じた形状の枠部8aを備えかつサセプタ2とプレートヒータ3との間に設けられたリングヒータ8と、内部4aで半導体ウェハ1の熱処理が行われる処理容器4とからなり、2枚のプレートヒータ3によって半導体ウェハ1に対し直接的な熱輻射加熱を行うとともに、リングヒータ8によってサセプタ2を介して半導体ウェハ1を加熱する。

請求項（抜粋）：

被処理物を加熱する熱処理方法であって、前記被処理物の外周部に応じた形状の内周面を有する被処理物保持部を備えた被処理物支持部材の前記被処理物保持部に前記被処理物を搭載し、前記被処理物支持部材の表裏両面の僅かに離れた近傍から前記表裏両面全体を加熱し、前記被処理物を熱輻射加熱および前記被処理物支持部材を介して加熱することを特徴とする熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/324 D ,  H01L 21/22 501 A ,  H01L 21/31 E