特許
J-GLOBAL ID：200903005221802508
接続部の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078341
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243401
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 基板上の凸部間においてコンタクトをとる場合に、配線材料のエッチング残りが生じず、レジストの埋め込み残りが生じず、配線材料のパターン崩れが生じず、また、簡単な工程でできる接続部の形成方法の提供。【構成】 基板1上の絶縁膜2上に配線パターン3と絶縁層パターン4とから成る凸部1a,1bを複数形成し、凸部間においてコンタクトをとる接続部の形成方法であって、凸部をおおう層間絶縁膜5を形成し、更にその上に層間膜7を形成し、その上に平坦化層間膜8を形成し、層間膜7は層間絶縁膜5と平坦化層間膜8とエッチング比の大きな材料により形成し、この構造について平坦化層間膜8をパターニングし、次いで層間膜7の露出部を除去し、次いでパターニングした平坦化層間膜8をマスクにして層間絶縁膜5及び基板1上の絶縁膜2をパターニングして接続孔10を形成し、その後配線6を形成する接続部の形成方法。
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜上に配線パターンと絶縁層パターンとから成る凸部を複数形成し、凸部間においてコンタクトをとる接続部の形成方法であって、凸部をおおう層間絶縁膜を形成し、更にその上に層間膜を形成し、その上に平坦化層間膜を形成するとともに、前記層間膜は層間絶縁膜と平坦化層間膜とエッチング比の大きな材料により形成し、上記構造について平坦化層間膜をパターニングし、次いで層間膜の露出部を除去し、次いでパターニングした平坦化層間膜をマスクにして層間絶縁膜及び基板上の絶縁膜をパターニングして接続孔を形成し、その後配線を形成する接続部の形成方法。
IPC (2件)：
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