特許
J-GLOBAL ID:200903005223894639
位相シフトフォトマスクの修正方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
韮澤 弘 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-088374
公開番号(公開出願番号):特開平6-301195
出願日: 1993年04月15日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】 位相シフトフォトマスク加工工程途中のレジストパターンの状態にて位相シフターパターンの欠陥の検査及び修正を行う。【構成】 製造工程において、レジスト層15をパターニング後、レジストパターンの開口部より露出するハーフトーン遮光層13部分をエッチングして遮光パターンを形成した後のレジストパターン状態で、存在する残存欠陥16と欠落欠陥17の検査をし、残存欠陥16はレーザービームもしくは集束イオンビーム18にてレジスト層及び遮光層を共に昇華除去し、欠落欠陥17はピレン等のカーボンリッチな雰囲気下20での集束イオンビーム19照射によりカーボン膜21を堆積させて埋める。レジストパターンを修正した状態にて、位相シフター層14をエッチングガスプラズマ22にてエッチングした後、残存したレジストを剥離して、ハーフトーン型位相シフトレチクルが完成する。
請求項(抜粋):
位相シフター層上に直接、又は、その上に設けた遮光層ないしハーフトーン遮光層を介してレジスト薄膜を形成し、このレジスト薄膜にパターン描画を行い、その後現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして露出した位相シフター層を直接又はその上に設けた遮光層ないしハーフトーン遮光層及び位相シフター層の順でエッチングして位相シフトフォトマスクを製造する工程において、前記位相シフター層のエッチング前に、前記レジストパターンの欠陥を検査及び修正をすることを特徴とする位相シフトフォトマスクの修正方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/30 301 V
, H01L 21/30 311 W
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平3-172844
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特開昭62-215957
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特開平3-172844
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