特許

J-GLOBAL ID：200903005233456664

半導体装置の製造方法

発明者： コルネリス アドリアヌス ヘンリクス アントニウス ムトサエルス ,  ロベルタス アドリアヌス マリア ウォルテルス
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305303
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218017
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体本体の表面に複数個のアルミニウムトラックを設け、これらのアルミニウムトラックをアルミニウム化合物によって横方向で互に絶縁することにより半導体装置を製造する。【構成】 半導体本体(2)の表面 (1)上にアルミニウム含有層 (3)を堆積し、層(3)に導体トラック (4)をエッチングにより設け、次いで導体トラックの間に絶縁性アルミニウム化合物 (6)を、該化合物の層 (7)を堆積した後に層 (7)をバルク削減処理によって導体トラック (4)まで除去することにより設け、化合物 (6)上に絶縁層(11)を堆積し、この層に接点窓(13),(14) を層 (3)までエッチングすることにより設けて導体トラック (4)と局部的に接触させる。層 (7)を堆積する前に、導体トラック (4)に頂部層 (8)を設け、前記堆積の後に頂部層 (8)を実際上除去できない研磨処理によって、化合物 (6)を再び頂部層 (8)まで除去する。【効果】 集積密度の極めて高い集積回路(VLSI)に使用するのに適した互に絶縁された導体トラック(4)を作ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体本体の表面上にアルミニウム含有層を堆積し、このアルミニウム含有層に複数個の導体トラックをエッチングにより設け、次いで導体トラックの間に絶縁性アルミニウム化合物を、該アルミニウム化合物の層を堆積し、次いでこの層をバルク削減処理によって前記導体トラックまで除去することにより設け、前記絶縁性アルミニウム化合物の上に絶縁材料層を堆積し、この層に接点窓を前記アルミニウム含有層までエッチングすることにより設けて前記トラックと局部的に接触させることにより、半導体装置を製造するに当り、前記絶縁性アルミニウム化合物の層を堆積する前に、前記導体トラックに頂部層を設け、前記堆積の後に前記頂部層の材料を実質的に除去しない研摩処理によって、前記絶縁性アルミニウム化合物を再び前記頂部層まで除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-265724
  
• 特開平3-142833
  
• 特開平2-278822