特許

J-GLOBAL ID：200903005233794454

散乱ステンシル型レチクルの修正方法及びその修正構造

発明者： 清水 澄人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031027
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232048
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 電子線散乱能が高く、しかも電子線を比較的吸収しないレチクルを得ることができる散乱ステンシル型レチクルの修正方法を提供する。【解決手段】 珪素あるいは炭素を主成分とした膜上に、金属原子あるいは非金属原子あるいは珪素を除く半導体原子を含有する層を適当な厚さで成膜し、修正(リペア)部分の修復膜を層状構造とする。これにより、電子散乱能を向上させた上に電子照射時の熱変形を極力抑えたレチクルの修正が可能である。

請求項（抜粋）：

電子線散乱体で構成されたパターン転写部を有し、被転写基板に縮小投影転写像を転写する際に使用されるレチクル作製の際に発生した欠陥を修正する方法であって、前記欠陥部に、珪素又は炭素を主成分とした材料で構成された膜を形成する工程と、前記膜上に修正補強層を形成する工程と、を具備することを特徴とする散乱ステンシル型レチクルの修正方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 G ,  G03F 1/16 B

Fターム (8件)：

2H095BA02 ,  2H095BA08 ,  2H095BD33 ,  2H095BD35 ,  2H095BD38 ,  5F056AA22 ,  5F056AA27 ,  5F056FA10