特許
J-GLOBAL ID：200903005239745501
カルコゲナイド半導体の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191209
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037357
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は高いキャリア濃度のp型カルコゲナイド半導体結晶の作製および良好なpn接合素子の作製を目的とする。【構成】 気相成長法によって亜鉛或はカドミウムを含むカルコゲナイド半導体層を成長させると共にV 族元素と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族元素を添加した後、カルコゲナイド半導体層から水素元素を除去することを特徴とするカルコゲナイド半導体の形成方法。
請求項（抜粋）：
気相成長法によって亜鉛或はカドミウムを含むカルコゲナイド半導体層を成長させると共にV 族元素と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族元素を添加する工程と、前記カルコゲナイド半導体層から水素元素を除去する工程とを具備する事を特徴とするカルコゲナイド半導体の形成方法。
IPC (2件)：
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