特許

J-GLOBAL ID：200903005245345876

ガス-クラスターイオン-ビーム加工によるフィルム蒸着用の界面制御

発明者： フェナー,デイビッド,ビー.
出願人/特許権者： エピオン コーポレイション
代理人 (2件)： 廣江 武典 ,  宇野 健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-581335
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521476
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

表面結合の末端化および引き続いての反応性蒸着によって天然酸化物が無くなったシリコンウエハー上に薄いフィルムをガス-クラスターイオン-ビーム蒸着する方法が開示される。シリコンの表面の水素末端化は、それを、フィルムを蒸着するのに用いるもののごとき、酸素-含有環境ガス、真空系に残留するガスさえからの再酸化に対して不活性とする。窒素末端化は、上に存在する金属-酸化物の薄いフィルムでもって界面を改良する。該フィルムはシリコン結晶表面と親密に接触させて形成され、ほとんど理想的な界面を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体の表面から酸化物を除去し; 半導体の表面を水素末端とし; 半導体を真空環境に置き; 半導体の表面から揮発性物質を脱着させ; 半導体の表面をガス-クラスターイオンで衝撃して、該水素を除去し;次いで、 半導体の表面にフィルムを形成する; 工程を含むことを特徴とする半導体上へフィルムを蒸着する方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L21/316 A ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 444C

Fターム (13件)：

5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BE03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF76 ,  5F083AD21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083PR22