特許
J-GLOBAL ID:200903005250782796

受光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-011662
公開番号(公開出願番号):特開平6-224458
出願日: 1993年01月27日
公開日(公表日): 1994年08月12日
要約:
【要約】【目的】 受光素子の光感度を高くしかつ応答速度を高速にする。【構成】 CZ基板1にFZ基板2を接着し、FZ基板側を受光面とする。
請求項(抜粋):
低酸素濃度で高比抵抗のフローティングゾーン法により形成した半導体基板と、高酸素濃度のチョクラルスキー法により形成した半導体基板とを接着し、フローティングゾーン法により形成した半導体基板側を活性層とすることを特徴とする受光素子。

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