特許
J-GLOBAL ID：200903005256715977
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271129
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097603
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 活性層への深い準位を形成する不純物の拡散を抑制することができ、かつ良質の再成長界面を形成することができ、内部量子効率の低下及びリーク電流の低減をはかり得る半導体レーザ提供すること。【構成】 活性領域の側面を電流狭窄で埋め込んだ埋込み型半導体レーザにおいて、n型InP基板11上に形成されたn型InPクラッド層18と、このクラッド層18上にストライプ状に形成されたInGaAsP活性層17と、この活性層17の側面及び上面を覆うように形成されたp型InPクラッド層16と、クラッド層16,18を選択エッチングして形成され内部に活性層17のストライプを有するメサストライプと、このメサストライプの側面に埋め込み形成されたFeドープの高抵抗層12とを具備してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型半導体層と、この第1導電型半導体層上にストライプ状に形成された活性領域と、この活性領域の側面及び上面を覆うように形成され、かつ該活性領域のストライプよりも幅の広いストライプ状に形成された第2導電型半導体層と、この第2導電型半導体層の側面に埋め込み形成された電流狭窄層とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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