特許

J-GLOBAL ID：200903005258381731

半導体装置およびその製造方法

発明者： 長尾 浩一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203026
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017494
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 チップサイズパッケージにおいて、発熱タイプの半導体チップをパッケージングした際、その放熱構造が十分でなく、発熱により誤動作の恐れがあった。【解決手段】 絶縁層13上に延在した配線層14間およびコンタクトパッド15間の隙間に電気的に接続しない放熱用のダミー配線層14dが設けられ、半導体チップ12から発せられた熱を表層の絶縁性樹脂層16に効率よく伝達して放熱させることができ、半導体装置内に蓄積する熱を抑制し、誤動作を防止できるものである。

請求項（抜粋）：

その主面上に複数の電極パッドを有した半導体チップと、前記複数の電極パッドを除く半導体チップの主面上に形成された絶縁層と、前記半導体チップの主面内であって、前記絶縁層上に前記複数の電極パッドと一端が接続し、他端が前記絶縁層上に延在した電気的な配線層により再配線接続で配置された複数のコンタクトパッドと、前記複数のコンタクトパッドを除く半導体チップの主面上に形成された絶縁性樹脂と、前記複数のコンタクトパッド上に各々設けられた突起電極とよりなる半導体装置であって、前記絶縁層上に延在した配線層間の隙間に電気的に接続しない放熱用のダミー配線層が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/88 S ,  H01L 23/36 D

Fターム (18件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033RR21 ,  5F033RR27 ,  5F033SS21 ,  5F033UU03 ,  5F033VV01 ,  5F033VV07 ,  5F033XX22 ,  5F036AA01 ,  5F036BB21 ,  5F036BE09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-299058   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-127283   出願人：日東電工株式会社