特許
J-GLOBAL ID：200903005262993555
半導体結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011484
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206028
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,ガスソース分子線結晶成長法(GSMBE)による化合物半導体装置の製造方法に関し,高性能デバイス作成のために必要な化合物半導体の結晶成長の選択成長を確保し,かつ,結晶成長層の純度を著しく向上させることを目的とする。【構成】 III 族材料照射とV族材料照射とを交互に行い,III 族材料照射後にはマスク上でのIII 族材料の滞在時間以上の待ち時間(τ1)後にV族材料照射を行い,V族材料照射後にはマスク上でのV族材料の滞在時間以上の待ち時間 (τ2)後にIII 族材料照射を行うように構成する。
請求項（抜粋）：
III 族材料として有機金属を用い,基板上にマスクを形成し,ガスソースMBE法によって成長を行うIII -V族化合物半導体の選択成長において,III 族材料照射とV族材料照射を交互に行い,III 族材料照射後には,マスク上でのIII 族材料の滞在時間以上の待ち時間(τ1)後にV族材料照射を行い,V族材料照射後にはマスク上でのV族材料の滞在時間以上の待ち時間(τ2)後にIII 族材料照射を行うことを特徴とする半導体結晶の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C30B 23/04
, C30B 25/02
, C30B 25/04
