特許
J-GLOBAL ID：200903005263358918

半導体装置の製造方法

発明者：
天田 高明

天田 高明 について


出願人/特許権者：
セイコーNPC株式会社

セイコーNPC株式会社 について


代理人 (1件)： 松田 三夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-236184
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053175
出願日： 2005年08月17日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 アンチヒューズとして用いられるMOSキャパシタと、LDD構造を有するMOSトランジスタとを、同一基板上に設けてなる半導体装置の製造方法において、LDD構造のMOSトランジスタの製造工程で、MOSキャパシタが破壊される虞のない製造方法を提供する。【課題の解決手段】 MOSキャパシタのキャパシタ電極4をシリコン酸化膜6で被覆し、その後、MOSトランジスタのゲート電極を形成するためのドライエッチング、並びにMOSトランジスタのサイドウォールスペーサを形成するためのドライエッチングを施すことにより、MOSキャパシタをシリコン酸化膜6で保護して、ドライエッチングによる破壊を防止する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
アンチヒューズとして用いられるMOSキャパシタと、LDD(Lightly Doped Drain and Source)構造を有するMOSトランジスタとを、同一基板上に設けてなる半導体装置の製造方法において、 キャパシタ電極を形成する工程と、このキャパシタ電極をシリコン酸化膜で被覆する工程と、MOSトランジスタのゲート電極を形成するためのゲート用堆積工程と、ドライエッチングによるゲート電極形成工程と、MOSトランジスタのゲート電極のサイドウォールスペーサを形成するためのサイドウォールスペーサ用堆積工程と、ドライエッチングによるサイドウォールスペーサ形成工程とを含む ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/82
FI (4件)：
H01L27/06 102A ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 C ,  H01L21/82 F
Fターム (17件)：
5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AV15 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048DA25 ,  5F064CC09 ,  5F064CC23 ,  5F064FF28 ,  5F064FF45 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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