特許
J-GLOBAL ID：200903005265437017
固体撮像装置
出願人/特許権者：
富士フイルムマイクロデバイス株式会社
, 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 について
富士写真フイルム株式会社
富士写真フイルム株式会社 について
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165315
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057421
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 埋込型のフォトダイオードを利用した従来の固体撮像装置においては、フォトダイオードから垂直電荷転送路へ電荷を移相する際に、ノイズが発生する。【解決手段】 不純物濃度がチャネルストップ領域での不純物濃度より高い高不純物濃度領域を備えた埋込層を電荷蓄積領域上に形成してフォトダイオードを得る際に、このフォトダイオードに対応する読出ゲート用チャネルと、このフォトダイオードにおける埋込層中の高不純物濃度領域とを離し、かつ、高不純物濃度領域の少なくとも一部を、このフォトダイオードに対応するチャネルストップ領域から離す。
請求項（抜粋）：
一表面側に半導体ウエル領域が形成された半導体基板と、前記半導体ウエル領域に形成された複数の電荷蓄積領域によって構成される電荷蓄積領域列であって、前記電荷蓄積領域の各々が前記半導体ウエル領域とは逆の導電型を有する電荷蓄積領域列と、前記電荷蓄積領域列に近接して前記半導体ウエル領域に形成された電荷転送用チャネルであって、前記半導体ウエル領域とは逆の導電型を有し、前記電荷蓄積領域列に沿って延在する電荷転送用チャネルと、前記電荷蓄積領域の各々に1個ずつ対応して前記半導体ウエル領域に形成された読出ゲート用チャネルであって、各々が、前記半導体ウエル領域と同じ導電型を有すると共に、対応する電荷蓄積領域と前記電荷転送用チャネルとに隣接する読出ゲート用チャネルと、前記半導体ウエル領域に形成されたチャネルストップ領域であって、前記半導体ウエルと同じ導電型かつより高い不純物濃度を有し、少なくとも、前記電荷蓄積領域列の列方向中心線を基準線としたときに前記電荷転送用チャネルとは反対の側において該電荷蓄積領域列に沿って延在するチャネルストップ領域と、前記読出ゲート用チャネルからは離れ、前記チャネルストップ領域とは電気的に接続されつつ前記電荷蓄積領域それぞれの上に1つずつ形成されて該電荷蓄積領域と共に1個のフォトダイオードを構成する埋込層であって、各々が前記半導体ウエル領域と同じ導電型の高不純物濃度領域を含み、該高不純物濃度領域における不純物濃度がほぼ一定で、かつ、前記チャネルストップ領域における不純物濃度よりも高く、前記列方向中心線を基準線としたときに前記電荷転送用チャネルとは反対の側に位置する少なくとも一領域において前記高不純物濃度領域が前記チャネルストップ領域から離れている埋込層とを有する固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
引用特許：
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