特許

J-GLOBAL ID：200903005266174869

メモリデバイスの不良救済装置及び方法

発明者： 忠内 一洋
出願人/特許権者： 安藤電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-328281
公開番号（公開出願番号）：特開2003-132697
出願日： 2001年10月25日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 装置資源の有効利用を図った上で、効率を低下させることなく不良救済を行うことができるメモリデバイスの不良救済装置及び方法を提供する。【解決手段】 保存装置部40は、第1環境(例えば、温度が100°Cに設定された環境)下においてメモリデバイスに対して行う試験の試験結果を保存する。不良解析部30は、保存装置部40に保存された試験結果と、第1環境とは異なる第2環境(例えば、温度が100°Cに設定された環境)下においてメモリデバイスに対して行う試験結果とに基づいて、冗長メモリを用いたメモリデバイスの救済解析を行う。

請求項（抜粋）：

第1環境下においてメモリデバイスに対して行う試験の試験結果を保存する保存装置部と、前記保存装置部に保存された試験結果と、前記第1環境とは異なる第2環境下において前記メモリデバイスに対して行う試験結果とに基づいて、冗長メモリを用いた前記メモリデバイスの救済解析を行う解析部とを備えることを特徴とするメモリデバイスの不良救済装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 655 ,  G01R 31/28

FI (2件)：

G11C 29/00 655 S ,  G01R 31/28 B

Fターム (8件)：

2G132AA08 ,  2G132AB01 ,  2G132AE19 ,  2G132AG01 ,  2G132AL00 ,  5L106DD24 ,  5L106DD25 ,  5L106EE02