特許

J-GLOBAL ID：200903005266534113

半導体装置の製造方法

発明者： 角田 勝己 ,  田中 健
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306687
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150035
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 層間絶縁膜としてのBPSG膜をCMP法で表面研磨する手法は用いられているが、TEOS膜と比較してBPSG膜にスクラッチ(傷)が入りやすいく、その後の配線工程で断線、ショートなどの悪影響を及ぼし、ひいてはデバイスの収率低下を引き起こすと言う課題があった。【解決手段】 上記課題を解決する為に、BPSG膜をCMP法を用いて表面研磨し、しかる後に表面研磨のスクラッチ2を熱処理によって低減させることを特徴とし、熱処理温度は800°C〜1000°Cの温度で、30秒〜5分の処理時間であることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法において、BPSG(Boron-Phospho-Silicate-Glass)膜をCMP法(Chmical-Mechanical-Polishing法)を用いて表面研磨し、しかる後に表面研磨の傷(スクラッチ)を熱処理によって低減させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/88 K