特許

J-GLOBAL ID：200903005267849754

含浸型陰極構体の製造方法

発明者： 原 昭人 ,  矢壁 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272211
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114354
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】この発明は、熱の伝導が十分に行なわれて安定した電子放射が得られ、陰極温度が安定する結果、初期特性のばらつきが発生せず、大量生産において安定した品質の含浸型陰極構体が得られる含浸型陰極構体の製造方法を提供することを目的とする。【構成】この発明の含浸型陰極構体の製造方法は、空孔部に電子放射物質が含浸された多孔質タングステン薄板11からなる陰極基体15を形成する工程と、この工程の次に、上記陰極基体の底部および側面にろう材からなる溶融層13を形成してから、この溶融層を介して陰極基体を陰極スリーブ4の一端開口部に接合する工程とを備えてなり、上記目的を達成することが出来る。

請求項（抜粋）：

空孔部に電子放射物質が含浸された多孔質タングステン薄板からなる陰極基体を形成する工程と、上記陰極基体を陰極スリーブの一端開口部に接合する工程と、を備えた含浸型陰極構体の製造方法において、上記陰極基体の底部および側面にろう材からなる溶融層を形成し、この溶融層を介して上記陰極基体を上記陰極スリーブの一端開口部に接合することを特徴とする含浸型陰極構体の製造方法。