特許
J-GLOBAL ID:200903005280929015

回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-178086
公開番号(公開出願番号):特開平5-050285
出願日: 1991年07月18日
公開日(公表日): 1993年03月02日
要約:
【要約】【目的】 品質の良い半田付けが能率良く行える回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置を提供する。【構成】 リフローする回路基板12を、燃焼ガス5を燃焼させて炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半田溶融を行う。また管状トラップ10の中に冷却触媒または冷却水を流し、トラップ10の外側に結露した水分を除去することにより燃焼ガス5の燃焼により発生する炉内の水分を除去する。これにより回路基板や部品の電極、およびクリーム半田が酸化されずに品質の良い半田付けが能率良く行える。
請求項(抜粋):
リフローする回路基板を、気体を燃焼させて炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半田を溶融する回路基板の酸素希薄型リフロー方法。
IPC (4件):
B23K 31/02 310 ,  B23K 1/008 ,  H05K 3/34 ,  B23K101:42
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-101373
  • 特開昭62-101372
  • 特開平4-371367
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