特許

J-GLOBAL ID：200903005286054355

半導体装置の製造方法および露光装置

発明者： 早野 勝也 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120148
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311847
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 露光装置のレンズ収差量の測定精度を向上させる。【解決手段】 露光光源1aからフォトマスク2を介して光強度検出部1gに照射された露光光のうち、フォトマスク2の透明部を透過した光と半透明位相シフト部を透過した光との境界部近傍に形成される第2の光強度分布の光強度ピークを検出し、その検出結果に基づいて露光装置のレンズ収差を測定・解析することにより、露光装置を選定するようにした。

請求項（抜粋）：

(a)露光光源からフォトマスクを介して光強度検出部に照射された露光光の光強度分布からレンズ収差の測定に必要な光強度を検出し、その検出結果に基づいてレンズ収差を測定し、その測定結果に基づいて露光装置のレンズ系を選定する工程と、(b)前記(a)工程によって選定された露光装置を用いて半導体ウエハ上に所定のパターンを転写する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 516 Z ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 G

Fターム (11件)：

5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046BA08 ,  5F046CA04 ,  5F046CB12 ,  5F046CB17 ,  5F046CB25 ,  5F046DA12 ,  5F046DB01 ,  5F046DC12