特許

J-GLOBAL ID：200903005287898611

量子構造の形成方法

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327422
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172912
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 微細な量子構造を生産性よく形成する量子構造の形成方法を提供する。【解決手段】 加熱分子線セル1から基板8上に設けたマスク10に反応性ガスを局所的に照射して、前記マスク10に微細開口部を形成し、次いで、前記開口部に原料ガスを供給して、前記基板8上に微細な量子構造を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けたマスクに反応性ガスを局所的に照射して前記マスクに微細開口部を形成し、次いで、前記微細開口部に原料ガスを供給し、前記基板上に微細な量子構造を形成することを特徴とする量子構造の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/302 P