特許

J-GLOBAL ID：200903005287917470

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 小池 晃
出願人/特許権者： 株式会社シチズン電子
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128788
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324917
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 ガラエポ基板に設けた凹部内に発光素子を載置して薄型化を実現すると共に、発光した光を上方向に集光させて波長変換を効率よく行うことのできる表面実装型の発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 ガラエポ基板22に一対の電極を形成し、この電極の一方に発光素子25を載置すると共に、この発光素子25と前記他方の電極とを電気的に接続し、発光素子25を含むガラエポ基板22の上方を樹脂で封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記発光素子25が載置される第1電極部23をガラエポ基板22の裏面側に延設すると共に、この第1電極部23を底面33とする凹部31をガラエポ基板22に形成し、凹部31の底面33に発光素子25を載置すると共に、この発光素子25と第2電極部24とを電気的に接続し、発光素子25を含む前記凹部31内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂41を充填した。

請求項（抜粋）：

ガラエポ基板に一対の電極を形成し、この電極の一方に発光素子を載置すると共に、この発光素子と前記他方の電極とを電気的に接続し、発光素子を含むガラエポ基板の上方を樹脂で封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記発光素子が載置される一方の電極をガラエポ基板の裏面側に延設すると共に、この電極を底面とする凹部をガラエポ基板に形成し、凹部の底面に発光素子を載置すると共に、この発光素子と前記他方の電極とを電気的に接続し、発光素子を含む前記凹部内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂を充填し、さらにその上方を前記第1の樹脂とは性質の異なる第2の樹脂で封止したことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 23/12 Z ,  H01L 23/12 W

Fターム (22件)：

5F041AA05 ,  5F041AA06 ,  5F041AA10 ,  5F041AA37 ,  5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041AA47 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA93 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA56 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DA77 ,  5F041FF11