特許
J-GLOBAL ID：200903005290904037
誘電体分離基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 輝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041394
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213452
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 スートガラスに含まれる不純物のオートドープおよび外部への拡散防止構造、並びにスートガラスの吸湿防止構造を有する誘電体分離基板およびその製造方法を提供すること。【構成】 支持基板7上の周辺部を除いた部分に形成されたスートガラス層8表面に、酸化膜4を介して単結晶シリコンである素子領域11を島状に埋め込み、誘電体分離領域10、および端面13を含む側面を多結晶シリコン膜16で覆い、スートガラス層8の露出部分が無い構成とする。
請求項（抜粋）：
溝を有する素子基板の表面に絶縁分離膜を形成し、この絶縁分離膜上にスートを堆積させ、このスート上に支持基板を重ね、このスートを焼結させてスートガラス層を形成することによって素子基板と支持基板を接着させる工程と、前記素子基板を裏面から溝部分に充填された前記スートガラスが露出するまで研磨して、互いに絶縁分離された複数の素子領域を形成するとともに、前記素子基板およびスートガラス層の、端面を研削する工程と、少なくとも研磨された表面および研削された端面に露出したスートガラス層をパッシベーション膜で覆う工程とからなることを特徴とする誘電分離基板の製造方法。
IPC (2件)：
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