特許
J-GLOBAL ID：200903005294184616
シリコン熔融物中の酸素濃度の測定・制御方法とそのための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225940
公開番号（公開出願番号）：特開平8-193975
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【課題】 シリカガラスルツボに入れられているか、又はシリカガラスに接触しているシリコン熔融物中の酸素濃度を測定し、制御する方法を与えるものである。本方法はシリコン結晶中の酸素濃度を決めると共に、生成軸方向及び半径方向の酸素濃度の均一性を達成するために特に採用される。【解決手段】 酸素濃度の測定は、シリコン熔融物中に浸した電気化学的固体イオンセンサーによってなされる、つまりセンサーと生成したシリコン結晶間の電圧測定によって行なわれる。シリコン熔融物中の酸素濃度は、シリコン結晶とシリカガラスルツボ間に電圧を加えることによって制御出来る。本方法を実際に使用するための装置は、シリカガラスチューブ1製の電気化学的固定イオンセンサー10から成り、このシリカガラスチューブ1内には金属/金属酸化物混合物2とこれと接触した金属線3が封入されている。
請求項（抜粋）：
シリカガラスルツボに入れられているか、又はシリカガラスに接触しているシリコン熔融物中の酸素濃度を測定・制御する方法であって、酸素濃度が、シリコン熔融物中に浸した電気化学的固体イオンセンサーによって測定される、すなわちセンサーと生成したシリコン結晶間の電圧測定によってなされることを特徴とするシリコン熔融物中の酸素濃度の測定・制御方法。
IPC (6件)：
G01N 27/411
, C30B 13/28
, C30B 15/20
, C30B 29/06 502
, G01N 27/416
, H01L 21/208
G01N 27/58 C
, G01N 27/46 341 G
