特許
J-GLOBAL ID：200903005302056940
電荷蓄積容量素子及びその製造方法、半導体記憶装置及びこれを用いたIDカード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-114374
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297963
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 後処理工程でキャパシタ性能が劣化しない白金族元素あるいはその合金を電極とした電荷蓄積容量素子及びその製造方法、さらにはこれが搭載された半導体記憶装置及び半導体記憶装置が搭載されたIDカードを提供する。【解決手段】 電荷蓄積容量素子の電極21、23表面の露出部分(電極が形成されている下地層13と接触している領域及び電極が誘電体膜22と接触して容量を形成している領域以外の部分)を自己整合的に形成された保護膜32、33で被覆する。電極表面の露出部分をシリサイド化しこれを保護膜としても良い。電極の露出部分を保護膜で被覆する、また、選択的にシリサイド化することにより白金族金属の露出を無くし、触媒効果を抑制する。その結果キャパシタ形成後における処理に制限をなくし、誘電体膜の特性劣化を防止することができる。とくに強誘電体膜の残留分極量の劣化を低く抑えることができる。
請求項（抜粋）：
誘電体膜と、前記誘電体膜の第1の面上に形成された第1の電極と、前記誘電体膜の第2の面上に形成された第2の電極とを備え、前記第1及び第2の少なくとも一方は白金族金属で形成され、その前記誘電体膜と直接接する界面以外の表面に保護膜が自己整合的に形成されていることを特徴とする電荷蓄積容量素子。
IPC (10件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, G06K 19/07
, G06K 19/077
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, H01L 27/10 451
, G06K 19/00 H
, G06K 19/00 K
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 371
