特許
J-GLOBAL ID：200903005302782587
MOS差動電圧電流変換回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083694
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284962
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】MOS差動回路の出力電圧を適正化し、そのリニアリティを改善する。【解決手段】N型MOSFET・N1 ,N2 の各々のドレイン電極を各々の電流出力端子(N型MOSFET・N1 ,N2 が飽和領域で動作するために適当な他の回路が接続される)に接続し各々のソース電極を定電流源DG1 ,DG2 に接続し、かつソース電極間をN型MOSFET・N0 を介して接続する差動回路が、N型MOSFET・N0 のゲート電圧を制御して増幅利得を調整するゲート電圧制御部G-1、N型MOSFET・N0 のバックゲート電極に電圧を供給するバックゲート電圧制御部B-1とをさらに有するMOS電圧電流変換回路であって、ゲート電圧制御部G-1をMOSFETからなる能動素子を用いて構成しMOSFET・N0 の飽和および非飽和領域で差動回路の入出力特性がさらに直線性をもつようにゲート電圧制御部の出力電圧VGを変化させる。
請求項（抜粋）：
第1および第2の電界効果トランジスタのドレイン電極をそれぞれの電流出力端子に、それぞれのソース電極およびバックゲート電極を第1および第2の定電流源にそれぞれ共通接続するとともに、前記第1の電界効果トランジスタのソース電極に第3の電界効果トランジスタのドレイン(またはソース)電極を接続し、前記第2の電界効果トランジスタのソース電極に前記第3の電界効果トランジスタのソース(またはドレイン)電極を接続する差動回路が、前記第3の電界効果トランジスタのゲート電圧を制御して増幅利得を調整するゲート電圧制御手段と、前記第3の電界効果トランジスタのバックゲート電極に電圧を供給するバックゲート電圧制御部とをさらに有するMOS差動電圧電流変換回路において、前記ゲート電圧制御手段を電界効果トランジスタからなる能動素子を用いて構成し、前記第3の電界効果トランジスタの飽和領域および非飽和領域の両領域で、前記差動回路の入出力特性がさらに直線性をもつように前記ゲート電圧制御手段の出力電圧を変化させることを特徴とするMOS差動電圧電流変換回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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