特許

J-GLOBAL ID：200903005304221906

電子放出素子、電子源基板及び画像形成装置並びに電子放出素子の製造方法

発明者： 河野 公志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-118566
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312459
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 ドロスの発生をなくすことを可能とし、とりわけ、電極間に電子放出部を有する導電性膜を備える電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に1対の素子電極を形成する第1の工程と、1対の素子電極をつなぐ導電性の電子放出膜を形成する第2の工程と、1対の素子電極を通じ電子放出用膜に電圧を印加して、電子放出用膜に局部的に電気的に高抵抗な状態となった電子放出部を形成する第3の工程とを有する電子放出素子の製造方法において、第1の工程は、基板上に導体膜を形成する工程と、導体膜にレーザービームを照射して導体膜の一部を除去する工程とを有し、除去工程において、レーザー発振器と導体膜との間に導体膜への入熱量を調整するための補助パターンを配置する。

請求項（抜粋）：

基板上に1対の素子電極を形成する第1の工程と、前記1対の素子電極をつなぐ導電性の電子放出膜を形成する第2の工程と、前記1対の素子電極を通じ前記電子放出用膜に電圧を印加して、前記電子放出用膜に局部的に電気的に高抵抗な状態となった電子放出部を形成する第3の工程とを有する電子放出素子の製造方法において、前記第1の工程は、前記基板上に導体膜を形成する工程と、前記導体膜にレーザービームを照射して前記導体膜の一部を除去する工程とを有し、該除去工程において、レーザー発振器と前記導体膜との間に前記導体膜への入熱量を調整するための補助パターンを配置することを特徴とする電子放出素子の製造方法。