特許

J-GLOBAL ID：200903005309305067

半導体光導波路の構造とこれを利用した光増幅器、光変調器、光発振器、光集積回路

発明者： 水島 宜彦
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334373
公開番号（公開出願番号）：特開2001-154047
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 集積回路性能で使用が可能な半導体光導波路およびそれを利用した光増幅器、光変調器、光発振器とこれらを用いた光集積回路を提供する。【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された半導体細線と、半導体細線に形成された対の電極とを備え、半導体細線中に光を伝播させることを特徴とする。このように、本発明は、光集積回路において従来難問であった光配線の技術を初めて実用的に解決したものであって、LSIにおいて素子間の信号伝達に適用すれば、配線の占めるスペースが少ない、配線のCR時定数に対する考慮が不要である、増幅と方向性とがあるので部品を削減できる、超高周波信号を伝達できる等の利点により、LSIの設計製造を容易にし、巨大集積技術を可能にすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体細線と、前記半導体細線に形成された1対の電極とを備え、前記半導体細線中に光を伝播させることを特徴とする半導体光導波路の構造。

IPC (4件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/22

FI (5件)：

G02F 1/025 ,  H01S 5/22 ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 Z

Fターム (18件)：

2H047KA05 ,  2H047KA12 ,  2H047PA01 ,  2H047QA02 ,  2H047RA00 ,  2H047TA00 ,  2H079AA02 ,  2H079BA01 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EB04 ,  2H079HA11 ,  2H079JA00 ,  5F073AA13 ,  5F073BA09 ,  5F073CA24 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-106726
  
• 積層材料および光機能素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-122556   出願人：信越半導体株式会社