特許

J-GLOBAL ID：200903005309985483

3レベル中性点クランプ形インバータの電源回路

発明者： 寺田 隆昭 ,  山中 克利 ,  山田 健二
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265068
公開番号（公開出願番号）：特開2000-092854
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】【発明の名称】3レベル中性点クランプ形インバータの主回路には1相当たり4つのスイッチが必要であり、3相用では合計12個のスイッチが必要であるため、そのスイッチを駆動する絶縁電源も12個必要であったが、この絶縁電源の数を減らして、コスト安・小型化に寄与する電源回路を提供する。【解決手段】 3レベル中性点クランプ形インバータの主回路101〜104、601、602、501、502にキャパシタ301と302を含む電源回路402、201および202を付加し、キャパシタ301と302に充電された電荷をそれぞれスイッチ素子102と103の駆動用電源として利用するようにした。

請求項（抜粋）：

4つのスイッチ素子を直列接続した3レベル中性点クランプ形インバータの電源回路において、前記スイッチ素子の複数個を各々駆動する複数の絶縁電源と、前記スイッチ素子の残りのスイッチ素子を各々駆動する複数のキャパシタと、該キャパシタを前記絶縁電源によって充電する充電回路とを有し、該キャパシタに充電された電荷を前記残りのスイッチ素子の駆動に利用することを特徴とする3レベル中性点クランプ形インバータの電源回路。

Fターム (7件)：

5H007AA00 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC04 ,  5H007CC23 ,  5H007DB03 ,  5H007EA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体スイッチのゲートドライブ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-187283   出願人：三菱電機株式会社