特許

J-GLOBAL ID：200903005318763850

単結晶引上方法

発明者： 若林 大介 ,  斉藤 正夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326136
公開番号（公開出願番号）：特開2001-146496
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 単結晶引上方法において、より高精度な引上速度の制御を可能にすること。【解決手段】 ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、設定していた引上速度に対する実際の引上速度の比率を速度ずれ率dとして検出する速度ずれ率検出工程S6と、予め設定された前記半導体融液の温度を前記速度ずれ率に応じて異なる温度補正量で補正する温度補正工程S81〜S89とを備え、該温度補正工程は、前記温度補正量を前記半導体単結晶の引上長とともに変化させる成長条件に応じて変える。

請求項（抜粋）：

ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、設定していた引上速度に対する実際の引上速度の比率を速度ずれ率として検出する速度ずれ率検出工程と、予め設定された前記半導体融液の温度を前記速度ずれ率に応じて異なる温度補正量で補正する温度補正工程とを備え、該温度補正工程は、前記温度補正量を前記半導体単結晶の引上長とともに変化させる成長条件に応じて変えることを特徴とする単結晶引上方法。

IPC (3件)：

C30B 15/24 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/24 ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P

Fターム (19件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EG02 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077HA12 ,  4G077PF34 ,  4G077PF35 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053DD01 ,  5F053DD03 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-313385