特許

J-GLOBAL ID：200903005320583095

TiO2-SnO2膜の製法

発明者： 岡村 健 ,  積 洋二 ,  佐川 信和
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055235
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078197
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：

【要約】【構成】TiO2 およびSnO2 からなる蒸着源より蒸着物質を蒸発させ、所定の基板表面にTiO2 -SnO2 膜を成膜すると同時に、基板の成膜領域に酸素を供給することによりTiO2-SnO2 固溶体膜を生成させ、さらにこの固溶体膜を酸化性雰囲気中で1350°C以上で加熱し結晶の再配列を行い、さらに酸化性雰囲気中で800°C以上で加熱しスピノーダル分解を生じさせる。【効果】低温で且つ高速成膜で非常に結晶性の高いTiO2 -SnO2 の固溶体膜を作製することができるとともに、熱処理によりその結晶性をさらに高めることができる。

請求項（抜粋）：

TiO2 およびSnO2 からなる蒸着源より蒸着物質を蒸発させ、所定の基板表面にTiO2 -SnO2 膜を成膜すると同時に、前記基板の成膜領域に酸素を供給することによりTiO2 とSnO2 との固溶体からなる膜を生成させることを特徴とするTiO2 -SnO2 膜の製法。

IPC (6件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/316 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-160218