特許

J-GLOBAL ID：200903005322204393

ポリシリコン層付きシリコンウェーハ及びその製造方法

発明者： 小屋 浩
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306916
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 従来のOSF顕在化熱処理を行ってもOSFフリーかつCOPフリーであって、ウェーハのすべての面において酸素析出が均一に行われ、ウェーハ周縁部及びウェーハ中心部との間でばらつきのない均一なゲッタリング効果が得られる。【解決手段】 ウェーハ面内で結晶に起因したパーティクル(COP)も侵入型転位(L/D)も発生していない酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3以下(旧ASTM)のシリコンウェーハであって、酸素雰囲気下、1000°C±30°Cの温度で2〜5時間熱処理し、引続き1130°C±30°Cの温度で1〜16時間熱処理するとウェーハ中心部に酸化誘起積層欠陥(OSF)が顕在化するシリコンウェーハの裏面に670°C±30°Cの温度でポリシリコン層を化学的気相堆積(CVD)法により厚さ1.3±0.3μmに形成する。

請求項（抜粋）：

ウェーハ面内で結晶に起因したパーティクルも侵入型転位も発生していない酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3以下(旧ASTM)のシリコンウェーハであって、酸素雰囲気下、1000°C±30°Cの温度で2〜5時間熱処理し、引続き1130°C±30°Cの温度で1〜16時間熱処理するとウェーハ中心部に酸化誘起積層欠陥が顕在化するシリコンウェーハの裏面に厚さ1.3±0.3μmのポリシリコン層が形成されたことを特徴とするポリシリコン層付きシリコンウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/322 P ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/205

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077FJ06 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF16 ,  5F045AF17 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13