特許
J-GLOBAL ID：200903005323530545
半導体装置の半田バンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009056
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214418
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 電極パッド間隙の狭い基板へのバンプ形成を確実にし、基板間隙の広い実装を可能にし、接続信頼性を向上させることができる半導体装置のバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の半田バンプの形成方法において、メッキ電源供給用カレントフィルムとしてのCr/Cu膜13と半田バリア用Cr膜14を連続して成膜し、次に、バリアメタルCu膜16を形成後、半田への可溶性金属のAu膜18を基板の電極パッド12を含み、かつ自由度の大きい方向へフラッシュ蒸着する工程を施す。
請求項（抜粋）：
半導体装置の半田バンプの形成方法において、メッキ電源供給用カレントフィルムとしてのCr/Cu膜と半田バリア用Cr膜を連続して成膜し、次に、バリアメタルCu膜を形成後、半田への可溶性金属のAu膜を基板の電極パッドを含み、かつ自由度の大きい方向へフラッシュ蒸着する工程を施すことを特徴とする半導体装置の半田バンプの形成方法。
FI (4件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 603 D
, H01L 21/92 604 S
