特許

J-GLOBAL ID：200903005325440039

面発光型発光素子

発明者： 水由 明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-242103
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079972
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】チップサイズを大きくした発光ダイオードにおいて、発光効率を向上させて大発光量を得る。【解決手段】n-GaAs基板1上に、n-GaAsバッファ層2、n-Al0.75Ga0.25As層3、p-Al0.4Ga0.6As発光層4、p-Al0.75Ga0.25As層5およびp-GaAsコンタクト層6を積層し、n側電極7を基板1の裏面に備えるものである。主な光取出し面はp側電極8側の面であって、該面の表面からp-Al0.4Ga0.6As発光層4の表面までエッチングして溝9を形成し、主な光取出し面であるp側電極面を6分割する。その後、約1.0mm×0.65mmのサイズで素子毎にへき開する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、p型およびn型の一方の半導体層、発光層および他方の半導体層をこの順に積層してなり、前記発光層に対して前記基板と反対側の面が主たる光取出し面である面発光型発光素子において、 前記反対側の面から少なくとも前記他方の半導体層の途中までの深さの、前記光取出し面を複数に分割する溝が設けられていることを特徴とする面発光型発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (18件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB25 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DB01