特許
J-GLOBAL ID：200903005327530299
書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021041
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267524
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 書込み及び読出し回路を有するマグネチックトンネル接合素子を利用した磁気メモリを提供する。【解決手段】 読出し及び書込み回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気メモリは、ワードライン100と読出し用ビットライン110とが交差する点にそれぞれMTJ素子を配置してメモリセルを形成し、書込み用ビットライン120を読出し用ビットライン110と並んで配置した後、ワードラインから電流が書込み用ビットライン120に磁気トンネル接合素子200の側面及び底面を迂回して流れることができるようにする電流迂回通路130を具備して構成する。
請求項（抜粋）：
読出し及び書込み回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリにおいて、一定の間隔にストライプ状に配置されたワードラインと、前記ワードラインと交差する方向にストライプ状に配置され、互いに平行に配列された読出し用ビットライン及び書込み用ビットラインと、前記ワードライン及び前記読出し用ビットラインが互いに交差する点で前記ワードライン及び読出し用ビットラインと接触するように形成された磁気トンネル接合素子と、前記ワードラインと前記書込み用ビットラインとそれぞれ接続されて前記各磁気トンネル接合素子の側面及び底面を迂回して通るように形成された電流迂回通路とを具備して構成されることを特徴とする読出し及び書込み回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
