特許

J-GLOBAL ID：200903005328912802

炭素薄膜の製造方法

発明者： 北折 典之 ,  吉田 修 ,  佐々木 克己 ,  石川 准子
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209597
公開番号（公開出願番号）：特開平9-052795
出願日： 1995年08月17日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリングにより、よりダイヤモンドに近い特性を有する炭素薄膜を得ることのできる製造方法を提供すること。【解決手段】 基板、例えばインライン走行される磁気テープ5とグラファイトターゲット6との間にPt、Ni、Si、Mo、Cu、又はこれらの合金からなる補助手段を介在させてスパッタリングを行う。好ましくは、補助手段はターゲット6上に置かれるPt線又はNi線11である。

請求項（抜粋）：

スパッタリングにより基板上に炭素薄膜を製造する方法において、基板とターゲットの間にPt、Ni、Si、Mo、Cu、又はこれらの合金からなる補助手段を介在させてスパッタリングを行うことを特徴とする、炭素薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/38 ,  C23C 14/56 ,  G11B 5/84

FI (7件)：

C30B 29/04 M ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/34 T ,  C23C 14/38 ,  C23C 14/56 E ,  G11B 5/84 B